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GaN易與AlN、InN等構(gòu)成混晶，能制成各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)，已經(jīng)得到了低溫下遷移率達(dá)到105cm2/Vs的2-DEG（因?yàn)?-DEG面密度較高，有效地屏蔽了光學(xué)聲子散射、電離雜質(zhì)散射和壓電散射等因素）.科晶公司將為您提供高品質(zhì)低價位的氮化鎵晶體和基片。
進(jìn)口鎵酸鋰（LiGaO2）晶體基片
鋁酸鋰（LiAlO2）晶體基片
鋁酸鎂（尖晶石）單晶廣泛應(yīng)用于聲波和微波器件及快速IC外延基片。同時研究發(fā)現(xiàn)它是好的III-V族氮化物器件的襯底。MgAl2O4晶體由于很難維持它的單晶結(jié)構(gòu)而難以生長，經(jīng)過幾年的努力，目前科晶公司能夠提供世界上質(zhì)量*尺寸的MgAl2O4晶體
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